2026中國煤焦鋼產(chǎn)業(yè)大會(huì)（第十五屆）誠邀您參加
九峰山實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)8英寸原子層沉積金屬鉬工藝突破
近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室化合物半導(dǎo)體中試平臺(tái)-工藝平臺(tái)深度聯(lián)動(dòng)國產(chǎn)原子層沉積（ALD）設(shè)備廠商，實(shí)現(xiàn)了ALD Mo工藝新突破——以穩(wěn)定、高效的MoCl?O?原料為前驅(qū)體，在400℃下制備出高性能金屬鉬薄膜，這是國內(nèi)首次基于8英寸平臺(tái)實(shí)現(xiàn)該工藝的開發(fā)。作為實(shí)驗(yàn)室在化合物半導(dǎo)體根技術(shù)領(lǐng)域的重要突破，該工藝在電阻率、均勻性、臺(tái)階覆蓋率等關(guān)鍵指標(biāo)上達(dá)到量產(chǎn)要求，對化合物半導(dǎo)體器件性能提升具有底層支撐作用，為國產(chǎn)設(shè)備與自主工藝的協(xié)同創(chuàng)新提供了可行樣本。本次工藝的成功開發(fā)，標(biāo)志著國內(nèi)首次在8英寸平臺(tái)實(shí)現(xiàn)ALD Mo工藝的開發(fā)，且在關(guān)鍵指標(biāo)上達(dá)到量產(chǎn)要求。在3D NAND制造中，高臺(tái)階覆蓋率可完美適配垂直溝道結(jié)構(gòu)，助力提升存儲(chǔ)容量與讀寫速度。在7納米及以下邏輯芯片中，低電阻率直接帶來更低的RC延遲，運(yùn)算速度提升、功耗降低。在DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）制造中，高均勻性和致密結(jié)構(gòu)有助于提升器件穩(wěn)定性與壽命。該工藝的成功突破也驗(yàn)證了一個(gè)判斷：國產(chǎn)設(shè)備與自主工藝的深度協(xié)同，完全可以交出高水平的答卷。
【免責(zé)聲明】本信息中的陳述、數(shù)據(jù)和觀點(diǎn)，僅代表上海鋼之家信息科技有限公司（以下簡稱鋼之家），不構(gòu)成對任何機(jī)構(gòu)或者個(gè)人的市場操作建議或者投資依據(jù)。未經(jīng)鋼之家書面許可，任何機(jī)構(gòu)和個(gè)人不得以任何形式轉(zhuǎn)載、復(fù)制和對外發(fā)布。如引用、轉(zhuǎn)載或者刊發(fā)，需征得鋼之家授權(quán)同意，并注明出處為鋼之家，且不得對本評(píng)述進(jìn)行有悖原意的引用、刪節(jié)和修改。
